Ga door naar hoofdinhoud
Help
Bewerken van stap 20 —

Stap type:

Sleep om te herschikken

Teardown update: We discovered some interesting chip changes inside a newer Droid Razr. They include:

SanDisk SDIN5C1-16G NAND flash that replaces the Toshiba THGBM4G7D2GBAIE unit

ELPIDA B8164B3PF-8D-F RAM takes place in the Samsung K3PE7E700M-XGC1 RAM location

Toshiba Y9AOA111418L8 replaces the Hynix H90H1GH51JMP chip that sits atop the TI OMAP 4430 processor

Je bijdragen zijn gelicenseerd onder de open source Creative Commons licentie.